Студенческий научный семинар 2006 г.

27.11.2006 г.
М.А. Исаков (аспирант кафедры ФПО, научный руководитель – с.н.с. НОЦ ФТНС Д. О. Филатов) «Исследование зависимости морфологии самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si от условий выращивания методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа»

20.11.2006 г.

А.А. Бирюков (аспирант кафедры ФПО, научный руководитель – с.н.с. НИФТИ Б. Н. Звонков) «Возможность создания многочастотных полупроводниковых лазеров на основе GaAs»

9.10.2006 г.

О.Е. Хапугин (аспирант кафедры ФПО, научный руководитель – проф. И. А. Карпович) «Влияние модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектрические спектры гетеронаноструктур с двумя слоями квантовых точек InAs/GaAs»
2.10.2006 г.
А.П. Горшков «Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетероструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией». Доклад по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Научный руководитель – проф. И. А. Карпович.

25.09.2006 г.

А.В. Кудрин (аспирант кафедры ФПО, научный руководитель – проф. И. А. Карпович) «Влияние электрического поля и температуры на фотоэлектрические свойства квантово-размерных структур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами»

18.09.2006 г.

А.В. Здоровейщев «Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией». Доклад по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Научный руководитель – проф. И. А. Карпович.

15.05.2006 г.

Д.А. Лаптев (студент 4 курса кафедры ЭТТ, руководитель: проф. Д.И. Тетельбаум) «Фотолюминесценция наноструктур на основе Si и SiO2, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения и ионно-легированных фосфором и водородом».
М.В. Треушников (студент 4 курса кафедры ФПО, руководитель: проф. Д. А. Павлов) «Ранний рост гетероэпитаксиальных слоев кремния на сапфире».

24.04.2006 г.

Л. Истомин (аспирант кафедры ФПО, руководитель: проф. И.А. Карпович) «Влияние модификации покровного слоя на фотоэлектронные спектры диодных структур с квантово-размерными слоями In(Ga)As/GaAs».

17.04.2006 г.

И.А. Андрющенко (студент магистратуры кафедры ФПО, руководители: проф. И.А. Карпович, доц. С.В. Тихов) «Образование дефектов и пор в GaAs и квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs при анодном окислении поверхности».
Д.А. Савельев (аспирант кафедры ФПО, руководитель: Д.О. Филатов, с.н.с. НОЦ ФТНС) «Электрофизические свойства пленок NixSi1-x и HfxSi1-x на подложках HfO2/Si и SiO2/Si».
Л.В. Гавриленко «Теория резонансов Фано в спектрах фотопроводимости».

10.04.2006 г.

К.В. Маремьянин (аспирант ИФМ РАН, руководитель В.И. Гавриленко, зав. лаб. ИФМ РАН) «Нелинейные оптические явления в инжекционных полупроводниковых лазерах с квантовыми ямами InGaAs/GaAs»

3.04.2006 г.

А.В. Иконников (аспирант ИФМ РАН, руководители – В.И. Гавриленко, зав. лаб. ИФМ РАН, А.В. Новиков, зав. лаб. ИФМ РАН) «Исследование циклотронного резонанса в гетероструктурах InAs/AlSb в квантующих магнитных полях»
М.В. Шалеев (аспирант ИФМ РАН руководитель – А.В. Новиков, зав. лаб. ИФМ РАН) «Фотолюминесценция Ge(Si) самоформирующихся островков, заключенных между слоями напряженного Si»

27.03.2006 г.

А.В. Кудрин (студент магистратуры кафедры ФПО, руководитель: проф. И.А. Карпович) «Влияние электрического поля и температуры на спектры фоточувствительности квантово-размерных структур In(Ga)As/GaAs».
О.Е. Хапугин (студент магистратуры кафедры ФПО, руководитель: проф. И.А. Карпович) «Влияние химического травления покровного слоя на фотоэлектронные спектры двухслойных массивов квантовых точек InAs/GaAs».

20.03.2006 г.

А.И. Белов (студент магистратуры кафедры ЭТТ, руководитель: проф. Д.И. Тетельбаум) «Ионно-лучевой синтез и люминесценция нановключений кремния в сапфире (Al2O3)».
Е.В. Коротков (студент 5 курса кафедры ФПО, руководитель: проф. Д.А. Павлов) «Самоорганизованный рост нанокристаллов кремния на сапфире».

6.03.2006 г.

Д.И. Лобанов (м.н.с. ИФМ РАН) "Исследования особенностей роста и фотолюминесценции Ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на Si(001) подложках и напряжённых Si1-xGex слоях" (по материалам кандидатской диссертации). Научный руководитель: А. В. Новиков, зав. лабораторией молекулярно-пучковой эпитаксии кремний – германиевых структур ИФМ РАН.

27.02.2006 г.

В. Левичев (аспирант кафедры ФПО, руководитель: Д. О. Филатов, с.н.с. НОЦ ФТНС) "ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДВУХЧАСТОТНЫХ ЛАЗЕРОВ МЕТОДОМ СПЕКТРАЛЬНО РАЗРЕШЕННОЙ БЛИЖНЕПОЛЬНОЙ СКАНИРУЮЩЕЙ ОПТИЧЕСКОЙ МИКРОСКОПИИ".
Д. Воронцов (аспирант кафедры КЭФ, руководитель: доц. В. Н. Портнов) "Рост граней призмы и пирамиды кристаллов KDP из растворов с разной стехиометрией".

20.02.2006 г. 

М. Дорохин (аспирант кафедры ФПО, руководитель: Ю. А. Данилов, с.н.с. НИФТИ) "Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с барьером Шоттки Co/GaAs в сильном магнитном поле".
П. Демина (аспирантка кафедры ФПО, руководитель: проф. И. А. Карпович) "Исследование фотоэлектронных свойств и морфологии двухслойных массивов квантовых точек InAs/GaAs".