Студенческий научный семинар 2003 г.

27.11.2003 г.
К.И. Рыбаков (с.н.с. Института прикладной физики РАН) «Возможности микроволновой обработки по модификации материалов»
М.В. Дорохин (студент 5-го курса кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель — с. н. с. НИФТИ Н. В. Байдусь) «Электролюминесценция диодов Шоттки с квантовыми точками InAs/GaAs»

6.13.11.2003 г. 

А.М. Горбачев, с.н.с. Института прикладной физики РАН «ВОЗМОЖНОСТИ СVD-МЕТОДА ПО ВЫРАЩИВАНИЮ АЛМАЗНЫХ ПЛЕНОК»
16.10.2003 г. И.А. Карпович «ИССЛЕДОВАНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ InAs/GaAs, ВЫРАЩЕННЫХ ГАЗОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ»

9.10.2003 г. 

М.Ю. Лебедев (аспирант кафедры ФПО, научный руководитель — профессор А. А. Ежевский) «Исследование процессов формирования и свойств нанокристаллов кремния в аморфной матрице кремния при ионной имплантации».

2.10.2003 г. 

А.В. Нежданов (аспирант кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель — профессор А.И. Машин) «Получение и методы исследования свойств структурно - неоднородного аморфного кремния».

25.09.2003 г. 

В.П. Мишкин (выпускник целевой аспирантуры НОЦ ФТНС, научный руководитель — проф. Г.А. Максимов) «Влияние селективного химического травления на диаграмму направленности излучения полупроводникового лазера».
П.А. Шиляев (аспирант кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель — проф. Д.А. Павлов) «Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния на сапфире».

18.09.2003 г. 

А.Н. Михайлов (аспирант кафедры электроники твердого тела, научный руководитель — д.ф.-м.н. Д.И. Тетельбаум) «Факторы, влияющие на интенсивность фотолюминесценции нанокристаллов Si в SiO2».

11.09.2003 г. 

А.В. Здоровейщев (аспирант кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель — профессор И. А. Карпович) «Исследование морфологии и фотоэлектронных свойств структур с квантовыми точками InAs/GaAs в процессе селективного травления покровного слоя».

26.05.2003 г. 

Д.А. Воронцов (студент 4 курса кафедры кристаллографии и экспериментальной физики, научный руководитель – доц. В. Н. Портнов) «Образование нитевидных кристаллов меди в процессе электролиза».
Т.В. Шилова (студентка 4 курса кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель — доц. Д. О. Филатов) «».
Р.И. Слепанов (студент 4 курса кафедры теоретической физики, научный руководитель – проф. В. Я. Демиховский) «Спектр 2D-дырок в несимметричной потенциальной яме».

19.05.2003 г. 

С.Ю. Зубков (аспирант кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель – доц. Д. О. Филатов) «Морфология и эмиссионные свойства конических структур на основе оксида Pd».
М.В. Дорохин (студент 4 курса кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель — с.н.с. НИФТИ Н. В. Байдусь) «Электролюминесценция диодов Шоттки на основе квантово размерных гетероструктур In(Ga)As/GaAs».

12.05.2003 г. 

В.В. Левичев (студент 5 курса кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель – доц. Д. О. Филатов) «Разработка методики исследования полупроводниковых лазеров методом ближнепольной сканирующей оптической микроскопии (БСОМ)».
М.В. Канышина (студентка магистратуры кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель — доц. Д.О. Филатов) «Исследование методом растровой Оже-микроскопии нитевидных кристаллов германия, выращенных из его алкильных соединений».

5.05.2003 г. 

Д.В. Гусейнов (студент магистратуры кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель – проф. А.А. Ежевский) «Влияние изотопного состава на ЭПР дефектов в кремнии».
С.Ю. Ермаков (студент магистратуры кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель — проф. И.А. Карпович) «Влияние толщины и состава тонкого двойного покровного слоя GaAs/InGaAs на фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/InGaAs».
Е.И. Малышева (студентка магистратуры кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель — с. н. с. НИФТИ Н.В. Байдусь) «Разработка методики исследования скорости поверхностной рекомбинации».

28.04.2003 г. 

А.В. Иконников (студент магистратуры ВШОПФ, научные руководители – проф. В.И. Гавриленко, н.с. ИФМ РАН А. В. Новиков) «Субмиллиметровое примесное магнитопоглощение в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами».
М.В. Шалеев (студент магистратуры ВШОПФ, научный руководитель — проф. З.Ф. Красильник) «Фотолюминесценция GeSi/Si(001) самоорганизующихся островков, имеющих различную форму».
Л.В. Красильникова (аспирантка ИФМ РАН, научный руководитель — проф. З.Ф. Красильник) «Исследование возможностей создания лазерных структур с активной средой на основе кремния, легированного эрбием»

14.04.2003 г. 

Ю.Г. Лопатин (аспирант кафедры физического материаловедения, научный руководитель – проф. В.Н. Чувильдеев) «Деформационно-стимулированный рост зерен в условиях структурной сверхпластичности».
А. П. Горшков (студент магистратуры кафедры ФПО, научный руководитель — проф. И. А. Карпович) «Исследование влияния электрического поля на энергетический спектр квантовых точек методом фотоэлектрической спектроскопии».

7.04.2003 г. 

Д.И. Крыжков (аспирант ИФМ РАН, научный руководитель – проф. З.Ф.Красильник) «Особенности кинетики электролюминесценции иона Er3+ в кремниевых структурах с активным слоем, позиционированным в области пространственного заряда».
А.Н. Яблонский (аспирант ИФМ РАН, научный руководитель – с.н.с. ИФМ РАН Б А.Андреев) «Особенности возбуждения ионов Er3+ в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием».

24.03.2003 г.

В.П. Мишкин (аспирант кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель – проф. Г.А. Максимов) «Сопоставление топографии излучающей поверхности полупроводникового лазера и пространственной структуры его излучения в ближнем поле».
А.Н. Киселев (аспирант Нижегородского государственного технического университета, научный руководитель – проф. В. А. Перевощиков) «Микроморфология поверхности эпитаксиальных слоев кремния на сапфире после облучения рентгеновским излучением».
М.Ю. Лебедев (аспирант кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель — проф.А. А. Ежевский) «Формирование кремниевых нанокристаллов в аморфной матрице кремния, в результате перекристаллизации при ионном облучении».

17.02.2003 г.

П.А. Шиляев (аспирант кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель – проф. Д.А. Павлов) «Методы определения фрактальной размерности СЗМ изображений».