Студенческий научный семинар 2002 г.

28.11.2002 г.
А.Н. Михайлов (аспирант кафедры электроники твердого тела, научный руководитель – проф. Д.И. Тетельбаум) «Закономерности формирования и фотолюминесценции наноструктурированных ионным облучением систем на основе кремния и SiO2»
По материалам выступлений на III Международной конференции молодых ученых “Problems of Optics and High Technology Material Science SPO 2002” (24-26 Октября 2002 г., Киев, Украина), IV International symposium “Ion Implantation and other Applications of Ions and Electrons ION 2002” (June 10-13, 2002, Kazimierz Dolny, Poland) и III Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (24-26 июня 2002 г., Санкт-Петербург).
Д. Е. Николичев (студент магистратуры кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель – доц. Д. О. Филатов) «Исследование морфологии и состава нанокластеров на поверхности полупроводников AIV и AIIIBV методом растровой Оже-микроскопии»

24.10.2002 г.

А.В. Нохрин, аспирант кафедры материаловедения, «Экспериментальное и теоретическое исследование термической стабильности структуры и механических свойств нано- и микрокристаллических ГЦК металлов и сплавов». Научный руководитель – проф. В. Н. Чувильдеев.
А.В. Нежданов, аспирант кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, «Исследование морфологии поверхности и оптических свойств sp2- гибридизированного кремния». Научный руководитель – проф. А. И. Машин.

3.10.2002 г.

Д.В. Хомицкий, аспирант кафедры теоретической физики, научный руководитель – проф. В. Я. Демиховский. Отчет об участии в 15-й Международной конференции по сильным магнитным полям в физике полупроводников (Оксфорд, Великобритания).
С.Б. Левичев, аспирант кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель – проф. И. А. Карпович. Отчет об участии в 12-й международной конференции «Полупроводниковые и изолирующие материалы» (Братислава, Словакия).
А.В. Здоровейщев, аспирант кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники, научный руководитель – проф. И. А. Карпович. Отчет об участии в 26-й Международной конференции по физике полупроводников (Эдинбург, Великобритания). «СЗМ исследования зарощенных квантовых точек InAs/GaAs с in situ мониторингом процесса травления методами фотолюминесцентной и фотоэлектрической спектроскопии».

23.05.2002 г.

А.В. Иконников, студент магистратуры ВШОПФ: «Влияние предосаждения GeSi слоев на рост и свойства самоорганизующихся GeSi/Si(001) островков». Руководители — В. И. Гавриленко, А. В. Новиков, ИФМ РАН.

16.05.2002 г.

Д.А. Воронцов, студент 3 курса кафедры КЭФ: «Микроморфология граней бипирамиды кристаллов KDP, растущих в присутствии активной примеси». Руководитель — доц. кафедры КЭФ В. Н. Портнов.
М.Ю. Лебедев, аспирант кафедры ФПО: «Формирование нанокристаллического кремния в процессе бомбардировки ионами инертных газов больших доз». Руководитель — профессор кафедры ФПО А. А. Ежевский.
Л.В. Красильникова, студентка магистратуры кафедры ФПО: «Природа и симметрия редкоземельного центра Er-1 в монокристаллическом кремнии». Руководитель — с. н. с. ИФМ РАН Б.А. Андреев.

25.04.2002 г.

В.В. Левичев, студент 4 курса кафедры ФПО: «Исследование фазовых дифракционных решеток, сформированных методом импульсной лазерной интерференционной литографии, методом ближнепольной сканирующей оптической микроскопии (БСОМ)». Руководитель — доц. кафедры ФПО Д. О. Филатов.
М.В. Канышина, студентка 4 курса кафедры ФПО: «Исследование топографии и химического состава наноостровков GexSi1-x/Si методом растровой Оже-микроскопии». Руководитель — доц. кафедры ФПО Д. О. Филатов.

18.04.2002 г.

Е.И. Шевнина, студентка 4 курса кафедры ФПО: «Влияние термической обработки на рекомбинационные свойства квантово-размерных структур». Руководитель — с.н.с. Н. В. Байдусь.
Д.Е. Николичев, студент магистратуры кафедры ФПО: «Оже-спектрометр с диаметром зонда 20 нм. Определение состава нанокластеров на поверхности полупроводников AIV и AIIIBV». Руководитель — доц. Д. О. Филатов.
П.А. Шиляев, студент 5 курса кафедры ФПО: «Методы оценки качества поверхности». Руководитель — доц. Д. А. Павлов.

11.04.2002 г.

П.Б. Мокеева, студентка 5 курса кафедры ФПО: «Термостабильность гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии». Руководитель — к.ф.-м.н. Н. В. Байдусь.
С.Ю. Ермаков, студент магистратуры кафедры ФПО: «Исследование энергетического спектра гетероструктур GaAs/InGaAs с комбинированными слоями квантовых ям и квантовых точек». Руководитель — проф. Карпович И. А.
А.В. Здоровейщев, аспирант кафедры ФПО: «ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InAs В МАТРИЦЕ GaAs В ПРИСУТСТВИИ CCl4». Руководитель — проф. Карпович И. А.

28.03.2002 г. 

Д.В. Гусейнов «Влияние изменения изотопного состава на ширину линии ЭПР в кремнии» Руководитель — проф., д.ф.-м.н. А. А. Ежевский

21.03.2002 г. 

А.Н. Михайлов, студент магистратуры кафедры ЭТТ: «ОСОБЕННОСТИ ВЛИЯНИЯ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ФОСФОРОМ И БОРОМ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК КРЕМНИЯ В МАТРИЦЕ». Руководитель — д.ф.-м.н. Д. И. Тетельбаум, НИФТИ.
А.П. Горшков, студент магистратуры кафедры ФПО: «ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА ШТАРКА НА ЭКСИТОНАХ В КВАНТОВОЙ ЯМЕ InGaAs/GaAs МЕТОДОМ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ В СИСТЕМЕ ПОЛУПРОВОДНИК/ЭЛЕКТРОЛИТ». Руководитель — проф., д.ф.-м.н. Карпович И. А.

28.02.2002 г. 

А.Н. Яблонский, аспирант ИФМ РАН : "Фотолюминесценция однородно и селективно легированных структур Si:Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии". Научный руководитель – с.н.с. Андреев Б. А., ИФМ РАН.
А.С. Осташев, студент магистратуры кафедры ФПО: «Модификация свойств стабилизированного иттрием диоксида циркония при облучении ионами гелия малыми дозами». Научный руководитель – доцент О. Н. Горшков, НИФТИ.

14.12.2002 г. 

Д. Н. Лобанов, аспирант ИФМ РАН: «Влияние температуры роста и предосаждения GexSi1-x на рост и оптические свойства GeSi/Si(001) самоорганизующихся наноостровков». Научный руководитель – профессор З. Ф. Красильник.
Е.Л. Ким, аспирантка кафедры экспериментальной физики: «Исследование процессов роста кристаллов КDP из раствора с примесью Al(NO3)3 при высоких пересыщениях». Научный руководитель – профессор Е.В. Чупрунов.