Студенческий научный семинар 2000 г.

21.12.2000 г.   

И.Л. Максимов «Исследование вихревых структур в сверхпроводниках методом магнитно-силовой микроскопии»  

7.12.2000 г.  
Н.А. Бекин (ИФМ РАН) «Туннеллирование дырок через полупроводниковые слои», «Поглощение и усиление ИК-излучения при межподзонных переходах дырок в КЯ»
Д.М. Гапонова (ИФМ РАН) «Модуляционная спектроскопия низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур»

29.11.2000 г.  
И.А. Карпович «Квантово-размерные гетеро-структуры на основе GaAs (получение, свойства, применение)»

2.11.2000 г.  
И.Л. Максимов, В.Н. Портнов «9-я национальная конференция по росту кристаллов»

5.10.2000 г.  
Д.О. Филатов "25-ая Международная конференция по физике полупроводников, Осака, Япония".

16.06.2000 г.  
B.N. Zvonkov, I.A. Karpovich, N.V. Baidus, D.O. Filatov, S.V. Morozov and Yu.Yu. Gushina. "The influence of Bi doping of the InAs/GaAs quantum dots on morphology and photoelectronic properties of the heterostructures obtained by MOVPE"
I.A. Karpovich, B. N. Zvonkov, D.O. Filatov, S.B. Levichev, N.V. Baidus and S.M. Nekorkin "Photoelectronic properties of InAs/GaAs nanostructures with combined quantum well and quantum dot layers grown by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy"

15.05.2000 г.  
С.Ю. Зубков (магистрант кафедры ФПО) "Исследование наноструктуры стеклообразных материалов методами сканирующей зондовой микроскопии". Руководитель — доцент Д. О. Филатов
А.В. Здоровейщев (магистрант кафедры ФПО) "Морфология поверхности и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs". Руководитель — к.ф.-м.н. Н. В. Байдусь.

24.04.2000 г.  
С. В. Сметанин (аспирант ИХВВ РАН) "Волоконные световоды с малыми оптическими потерями из высокочистого селенида мышьяка". Руководитель — чл.-корр. РАН М. Ф. Чурбанов
М. Ю. Лебедев (магистрант кафедры ФПО) "АСМ и ЭПР слоев кремния, модифицированных ионной бомбардировкой". Руководитель — проф. А. А. Ежевский

17.04.2000 г.  
Н.А. Бекин (аспирант ИФМ РАН) "Гетероструктуры на основе Si и Ge с углеродом: новые возможности дизайна оптических свойств". Руководитель — в.н.с. ИФМ РАН В.Я. Алешкин.
С.В. Морозов (аспирант кафедры ФПО) "Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками". Руководитель — профессор И.А. Карпович.
А.С. Круглов (аспирант кафедры ФПО) "Исследование пространственной структуры излучения полупроводниковых лазеров в переходной области от ближнего поля к дальнему с субволновым разрешением". Руководитель — профессор Г.А. Максимов.

10.04.2000 г.  
Д.М. Гапонова «Исследование спектров фотолюминесценции в системах с нановключениями Si в аморфных матрицах (SiO2, a-Si)»
Д.Н. Лобанов (аспирант ИФМ РАН) "Основные свойства и проблемы роста гетероструктур на основе Si, Ge, C". Руководитель — проф. Красильник З. Ф., ИФМ РАН.
А.Н. Михайлов (студент 4 курса каф. ЭТТ) "Исследование морфологии нановключений кремния в пленках SiO2, полученных методом ионной имплантации". Руководитель — д.ф.-м.н. Д.И. Тетельбаум, НИФТИ.

13.03.2000 г.  
Л.В. Красильникова (студентка 4 курса кафедры ФПО) "Особенности спектров редкоземельных элементов в кремнии". Научный руководитель: с.н.с. ИФМ РАН Б.А. Андреев.
А.С. Осташов(студент 4 курса кафедры ФПО) "Анализ спектров пропускания диоксида циркония, стабилизированного иттрием, облученного молекулярными ионами водорода". Научный руководитель: н. с. НИФТИ В. А. Новиков

6.03.2000 г.  
Н. Лазарева «Исследование морфологии поверхности слоёв Ge и GeSi, выращенных методом газофазной эпитаксии на подложках Ge(111)», науч. рук. доцент, к.ф.-м.н. Д.О. Филатов.

21.02.2000 г.  
А.О. Солдаткин (магистрант второго года обучения ВШОПФ) «Определение оптически активной части атомов эрбия в эпитаксиальных слоях кремния с эрбием. Экситонная модель возбуждения эрбиевых центров с учетом диффузии экситонов и неоднородности образца». Научный руководитель - старший научный сотрудник ИФМ РАН, кандидат химических наук Б. А. Андреев 
Н. В. Козлова (магистрант второго года обучения кафедры ФПО) "Исследование фрактальной размерности пленок кремния", Руководитель — доцент, к.ф.-м.н. Д.А. Павлов.

14.01.2000 г.  
А.В. Нохрин (магистрант второго года обучения кафедры ФМВ) "ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕРМОСТАБИЛЬНОСТИ СТРУКТУРЫ НАНО - И МИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ МЕДИ". Руководитель — д.ф.-м.н. В. Н. Чувильдеев
Д.В. Хомицкий (магистрант второго года обучения кафедры ТФ) "Зонная структура и поверхности Ферми в 3D кристаллах, помещенных в сверхсильное магнитное поле". Руководитель — профессор В. Я. Демиховский.