2000 год

23.11.2000

С.А.Д. Аммерлаан (профессор, Институт Ван-Дер-Ваальса-Зеемана Университета г. Амстердам, Нидерланды) «Эффективность инфракрасного излучения из кремния, легированного эрбием».

12.10.2000

Адриан Козанецкий (профессор Института физики Академии наук Польши, Варшава) «Увеличение интенсивности люминесценции иона Er3+ в тонких слоях оксида кремния и кремния». 

04.07.2000

М.Е. Пистоль, (профессор, факультет твердотельной физики, университет г. Лунд, Швеция) «Свойства квантовых точек InP в GaInP. Свойства квантовых точек InAs в GaAs».

23.03.2000

Пчеляков О.П. (ИФП СО РАН, Новосибирск) «Механизмы самоорганизации и упорядочения ансамблей квантовых точек GexSi1-x на поверхности Si при МЛЭ».

22.03.2000

Цырлин Г.Э. (Институт аналитического приборостроения РАН, С.- Петербург) «Многослойные структуры с квантовыми точками в системах InAs/GaAs и InAs/Si».

21.03.2000

Двуреченский А.В. (Институт физики полупроводников СОРАН) «Эффекты взаимодействия в системе Ge/Si с квантовыми точками».

2.03.2000

Чижик С.А. (Институт механики металлополимерных систем НАНБ) «Оценка параметров микромеханических неоднородностей поверхности методами СЗМ».

1.03.2000

Титков А.Н. (профессор ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург) «Электростатическая зондовая микроскопия полупроводниковых поверхностей».

31.01.2000

Треушников В. М. (фирма "Репер") «Использование метода фронтальной полимеризации для получения оптически прозрачных сред. Исследование поверхности искусственного хрусталика глаза методом СЗМ».